casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1060S-1E
codice articolo del costruttore | 2SD1060S-1E |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1060S-1E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1060S-1E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1060S-1E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1060S-1E-FT |
2SB1216T-E
ON Semiconductor
2SB1216T-H
ON Semiconductor
2SC4134S-E
ON Semiconductor
2SC4134T-E
ON Semiconductor
2SC5706-H
ON Semiconductor
2SC5706-P-E
ON Semiconductor
2SC6098-E
ON Semiconductor
2SC6099-E
ON Semiconductor
2SD1803T-H
ON Semiconductor
2SD1805F-E
ON Semiconductor
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel