casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC2712-GR,LF
codice articolo del costruttore | 2SC2712-GR,LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SC2712-GR,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2712-GR,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2712-GR,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC2712-GR,LF-FT |
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6DW,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel