casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT6427LT1
codice articolo del costruttore | MMBT6427LT1 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT6427LT1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT6427LT1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT6427LT1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT6427LT1-FT |
BSS79C
ON Semiconductor
BSV52
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BSV52_D87Z
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FJV1845UMTF
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LFE2-6E-6TN144I
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10CL025ZU256I8G
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5SGXEA5N2F40I2L
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Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
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