casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA2007E
codice articolo del costruttore | 2SA2007E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SA2007E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA2007E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 400mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 320 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 25W |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2007E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA2007E-FT |
STI13005-1
STMicroelectronics
STU13005N
STMicroelectronics
MJD122-1
STMicroelectronics
BULD741-1
STMicroelectronics
STD1805-1
STMicroelectronics
2STF2550
STMicroelectronics
2STF2360
STMicroelectronics
2STF1360
STMicroelectronics
2STF1340
STMicroelectronics
2STF1550
STMicroelectronics
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel