casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD122-1
codice articolo del costruttore | MJD122-1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MJD122-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD122-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD122-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD122-1-FT |
BUY69A
STMicroelectronics
MJ2501
STMicroelectronics
MJ3001
STMicroelectronics
MJ4032
STMicroelectronics
MJ4035
STMicroelectronics
MJ802
STMicroelectronics
ST26025A
STMicroelectronics
BDW83C-TO218
STMicroelectronics
JANTXV2N2221AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N2221A
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1517C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30CF780C5
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel