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ON Semiconductor 2N7000-D26Z

Name: 2N7000-D26Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: 2N7000-D26Z
Price: 0.06348 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (73 reviews)

Numero parte MFG: 2N7000-D26Z

quantità disponibile: 56550 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.06348

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: 2N7000-D26Z.pdf

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2N7000-D26Z specificazioni

codice articolo del costruttore	2N7000-D26Z
Numero di parte futuro	FT-2N7000-D26Z
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2N7000-D26Z Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7000-D26Z Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	2N7000-D26Z-FT

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