codice articolo del costruttore | 2N6762 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6762 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6762 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204AA |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6762 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6762-FT |
RJK2075DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK4002DJE-00#Z0
Renesas Electronics America
SSM3J375F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
STN1NK60ZL
STMicroelectronics
STP78NF55-08
STMicroelectronics
STP80NF55
STMicroelectronics
UPA2600T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2630T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2631T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation