casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQM47N10-24L_GE3
codice articolo del costruttore | SQM47N10-24L_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQM47N10-24L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQM47N10-24L_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3620pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM47N10-24L_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQM47N10-24L_GE3-FT |
SI7856ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7858BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI7882DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7882DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX16A-2TQ144I
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XC3S400-4FG320I
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XC3S700AN-4FGG484I
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5SGSMD8N3F45I3N
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XC6VLX195T-2FFG784I
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