codice articolo del costruttore | 2N6502 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6502 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6502 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6502 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6502-FT |
JANTX2N3810
Microsemi Corporation
JANTX2N3810L
Microsemi Corporation
JANTX2N3810U
Microsemi Corporation
JANTX2N6987
Microsemi Corporation
JANTX2N6989
Microsemi Corporation
JANTXV2N2060L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919U
Microsemi Corporation
JANTXV2N2920L
Microsemi Corporation
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-3
Intel
5SGXEA7H2F35I2L
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PC84I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I1SG
Intel
10AX016E3F29I2LG
Intel