codice articolo del costruttore | 2N6387G |
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Numero di parte futuro | FT-2N6387G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6387G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6387G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6387G-FT |
MJW21192G
ON Semiconductor
MJW21193
ON Semiconductor
MJW21194
ON Semiconductor
MJW21195
ON Semiconductor
MJW21196
ON Semiconductor
MJW3281A
ON Semiconductor
2SD1624S-TD-E
ON Semiconductor
2SA1419T-TD-E
ON Semiconductor
2SC3649T-TD-H
ON Semiconductor
2SB1123T-TD-E
ON Semiconductor
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel