casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC3649T-TD-H
codice articolo del costruttore | 2SC3649T-TD-H |
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Numero di parte futuro | FT-2SC3649T-TD-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC3649T-TD-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3649T-TD-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC3649T-TD-H-FT |
TIP36CP
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