codice articolo del costruttore | 2N6027 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6027 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6027 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio | 40V |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW |
Tensione - Uscita | 6V |
Tensione - Offset (Vt) | 1.6V |
Corrente - Gate to Anode Leakage (Igao) | 10nA |
Corrente - Valley (Iv) | 50µA |
Corrente: picco | 2µA |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6027 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6027-FT |
2N6027G
ON Semiconductor
2N6028G
ON Semiconductor
2N6027RL1
ON Semiconductor
2N6027RL1G
ON Semiconductor
2N6027RLRAG
ON Semiconductor
2N6028RLRAG
ON Semiconductor
2N6028RLRMG
ON Semiconductor
2N6028RLRP
ON Semiconductor
2N6028RLRPG
ON Semiconductor
2N6027RLRA
ON Semiconductor
XCS20XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE1500-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100
Microsemi Corporation
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
AGL125V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP1C12F324C6N
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel