casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Unjunction programmabile / 2N6027G
codice articolo del costruttore | 2N6027G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N6027G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6027G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Voltaggio | 40V |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW |
Tensione - Uscita | 11V |
Tensione - Offset (Vt) | 1.6V |
Corrente - Gate to Anode Leakage (Igao) | 10nA |
Corrente - Valley (Iv) | 50µA |
Corrente: picco | 2µA |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6027G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6027G-FT |
2N6027G
ON Semiconductor
2N6028G
ON Semiconductor
2N6027RL1
ON Semiconductor
2N6027RL1G
ON Semiconductor
2N6027RLRAG
ON Semiconductor
2N6028RLRAG
ON Semiconductor
2N6028RLRMG
ON Semiconductor
2N6028RLRP
ON Semiconductor
2N6028RLRPG
ON Semiconductor
2N6027RLRA
ON Semiconductor
EPF10K130EFC484-2
Intel
EP3C10U256I7
Intel
EP4CE10F17C8
Intel
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5F23C8N
Intel
EP4CE40F29I7N
Intel