codice articolo del costruttore | 2N5912 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5912 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5912 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5912 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5912-FT |
JANTX2N2920U
Microsemi Corporation
JANTX2N3810
Microsemi Corporation
JANTX2N3810L
Microsemi Corporation
JANTX2N3810U
Microsemi Corporation
JANTX2N6987
Microsemi Corporation
JANTX2N6989
Microsemi Corporation
JANTXV2N2060L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919U
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34E3LG
Intel
EP20K200RC240-1X
Intel
EPF8820ARC208-4
Intel