codice articolo del costruttore | 2N5912 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5912 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5912 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5912 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5912-FT |
JANTX2N2920U
Microsemi Corporation
JANTX2N3810
Microsemi Corporation
JANTX2N3810L
Microsemi Corporation
JANTX2N3810U
Microsemi Corporation
JANTX2N6987
Microsemi Corporation
JANTX2N6989
Microsemi Corporation
JANTXV2N2060L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919U
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-2PL68I
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5
Intel
5SGSMD3E1H29C2N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
XC2VP20-5FF896I
Xilinx Inc.
EP2S90F780C4N
Intel
EP4CE40F29C6
Intel