codice articolo del costruttore | 2N4150 |
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Numero di parte futuro | FT-2N4150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N4150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N4150-FT |
2N1484
Microsemi Corporation
2N1485
Microsemi Corporation
2N1486
Microsemi Corporation
2N1613L
Microsemi Corporation
2N1701
Microsemi Corporation
2N1711S
Microsemi Corporation
2N1717
Microsemi Corporation
2N1717S
Microsemi Corporation
2N1724A
Microsemi Corporation
2N1893S
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-2N
Intel
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672I8
Intel
EP2S30F484I4
Intel
5SGSMD5K3F40C3
Intel
5SGXEA9N3F45C3N
Intel
EP20K100EQC240-3
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel