codice articolo del costruttore | 2N3637L |
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Numero di parte futuro | FT-2N3637L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3637L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3637L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3637L-FT |
2SC2881-O-TP
Micro Commercial Co
BCX41QTA
Diodes Incorporated
DXT651Q-13
Diodes Incorporated
DXT751Q-13
Diodes Incorporated
FZT491AQTA
Diodes Incorporated
FZT591AQTA
Diodes Incorporated
MMS8050-H-TP
Micro Commercial Co
MMS8050-L-TP
Micro Commercial Co
MMS8550-H-TP
Micro Commercial Co
MMS8550-L-TP
Micro Commercial Co
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel