codice articolo del costruttore | 2N3507 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3507 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N3507 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3507 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3507-FT |
MJ2955
Central Semiconductor Corp
PBHV9540XF
Nexperia USA Inc.
PBHV9540XX
Nexperia USA Inc.
PBSS304NXZ
Nexperia USA Inc.
PBSS5480XZ
Nexperia USA Inc.
TTA0002(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TTC0002(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
ZTX658QSTZ
Diodes Incorporated
2N5401-AP
Micro Commercial Co
2SA1201-Y-TP
Micro Commercial Co
XCKU5P-L1FFVA676I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
10M50DCF484I6G
Intel
5CEFA7M15C8N
Intel
XC6VLX240T-2FF1759I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation