casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N5401-AP
codice articolo del costruttore | 2N5401-AP |
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Numero di parte futuro | FT-2N5401-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5401-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5401-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5401-AP-FT |
JANTXV2N6298
Microsemi Corporation
JANTXV2N6300
Microsemi Corporation
JANTXV2N6306
Microsemi Corporation
JANTXV2N6308
Microsemi Corporation
JANTXV2N6383
Microsemi Corporation
JANTXV2N6384
Microsemi Corporation
JANTXV2N6385
Microsemi Corporation
JANTXV2N6674
Microsemi Corporation
JANTXV2N6675
Microsemi Corporation
JANTXV2N6676
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35E2SG
Intel