casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N6308
codice articolo del costruttore | JANTXV2N6308 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N6308 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/498 |
JANTXV2N6308 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 2.67A, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 3A, 5V |
Potenza - Max | 125W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204AA (TO-3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6308 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N6308-FT |
DXTN3C60PS-13
Diodes Incorporated
JANTX2N1893
Microsemi Corporation
JANTX2N1893S
Microsemi Corporation
JANTX2N2880
Microsemi Corporation
JANTX2N3418
Microsemi Corporation
JANTX2N3418S
Microsemi Corporation
JANTX2N3419
Microsemi Corporation
JANTX2N3419S
Microsemi Corporation
JANTX2N3420S
Microsemi Corporation
JANTX2N3506A
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel