casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N5210_D81Z
codice articolo del costruttore | 2N5210_D81Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N5210_D81Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5210_D81Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5210_D81Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5210_D81Z-FT |
2N3904_D81Z
ON Semiconductor
2N3904_J61Z
ON Semiconductor
2N3905TA
ON Semiconductor
2N3905TAR
ON Semiconductor
2N3905TF
ON Semiconductor
2N3905TFR
ON Semiconductor
2N3905_D29Z
ON Semiconductor
2N3906RL1G
ON Semiconductor
2N3906RLRAG
ON Semiconductor
2N3906RLRMG
ON Semiconductor
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation