casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N3905_D29Z
codice articolo del costruttore | 2N3905_D29Z |
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Numero di parte futuro | FT-2N3905_D29Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3905_D29Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3905_D29Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3905_D29Z-FT |
KSC1009YTA
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KSD471AYTA
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2N4401TA
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2N4403TFR
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BC638TA
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LFXP2-5E-6TN144I
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
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A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
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EPF10K50VBI356-4
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EP20K160EQC240-3N
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EPF10K30EQC208-2N
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