codice articolo del costruttore | 2N5179 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5179 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5179 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 2GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 200MHz |
Guadagno | 15dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5179 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5179-FT |
MRF581A
Microsemi Corporation
MRF553
Microsemi Corporation
MRF553G
Microsemi Corporation
MRF553GT
Microsemi Corporation
MRF553T
Microsemi Corporation
MRF581
Microsemi Corporation
MRF559G
Microsemi Corporation
MRF555T
Microsemi Corporation
MRF555
Microsemi Corporation
JANTX2N2857
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-5SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC3S700AN-4FG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-2N
Intel
10AX027H3F35E2SG
Intel
XC6SLX16-N3CSG225C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation