casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / JANTX2N2857
codice articolo del costruttore | JANTX2N2857 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N2857 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/343 |
JANTX2N2857 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 500MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
Guadagno | 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-72-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N2857 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N2857-FT |
ZUMTS17HTC
Diodes Incorporated
2N5770
Central Semiconductor Corp
PN3563
Central Semiconductor Corp
CMUT5179 TR
Central Semiconductor Corp
CMPTH81 TR
Central Semiconductor Corp
CMPTH81 BK
Central Semiconductor Corp
NE851M13-T3-A
CEL
NE58219-T1-A
CEL
2SC4703-AZ
CEL
NE46134-T1
CEL
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel