codice articolo del costruttore | 2N3765 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3765 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N3765 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3765 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3765-FT |
2N6676
Microsemi Corporation
2N6678
Microsemi Corporation
2N6678T1
Microsemi Corporation
2N696
Microsemi Corporation
2N696S
Microsemi Corporation
2N697
Microsemi Corporation
2N697S
Microsemi Corporation
2N918UB
Microsemi Corporation
2N930
Microsemi Corporation
2N930A
Microsemi Corporation
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F484C8N
Intel
EP2C50U484C7
Intel
10M02SCU169C8G
Intel
EP3SE80F1152I3N
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K50VQC240-1
Intel