codice articolo del costruttore | 2N3764 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3764 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N3764 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3764 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3764-FT |
ZXTP01500BGQTA
Diodes Incorporated
ZXTP01500BGQTC
Diodes Incorporated
ZXTP2012ZQTA
Diodes Incorporated
2N1016B
Microsemi Corporation
2N1016C
Microsemi Corporation
2N1016D
Microsemi Corporation
2N1479
Microsemi Corporation
2N1481
Microsemi Corporation
2N1482
Microsemi Corporation
2N1483
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel