codice articolo del costruttore | 2N3762L |
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Numero di parte futuro | FT-2N3762L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N3762L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3762L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3762L-FT |
MPSA13-AP
Micro Commercial Co
SNSS40600CF8T1G
ON Semiconductor
ZXTN2010ZQTA
Diodes Incorporated
ZXTP01500BGQTA
Diodes Incorporated
ZXTP01500BGQTC
Diodes Incorporated
ZXTP2012ZQTA
Diodes Incorporated
2N1016B
Microsemi Corporation
2N1016C
Microsemi Corporation
2N1016D
Microsemi Corporation
2N1479
Microsemi Corporation
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation