codice articolo del costruttore | 2N3707 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3707 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3707 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3707 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3707-FT |
DXTP560BP5-13
Diodes Incorporated
DXT2010P5-13
Diodes Incorporated
DXT2013P5-13
Diodes Incorporated
DXT458P5-13
Diodes Incorporated
DXT690BP5-13
Diodes Incorporated
DXTN07100BP5-13
Diodes Incorporated
DXTP03200BP5-13
Diodes Incorporated
DXTP19020DP5-13
Diodes Incorporated
ZXTN04120HP5TC
Diodes Incorporated
DXT2011P5Q-13
Diodes Incorporated
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel