codice articolo del costruttore | 2N2920 |
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Numero di parte futuro | FT-2N2920 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2920 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2920 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2920-FT |
PHPT610035NKX
Nexperia USA Inc.
PHPT610030PKX
Nexperia USA Inc.
PHPT610035PKX
Nexperia USA Inc.
PHPT610030NKX
Nexperia USA Inc.
BC847RAPNZ
Nexperia USA Inc.
BC857RAZ
Nexperia USA Inc.
BC807RAZ
Nexperia USA Inc.
BC817RAPNZ
Nexperia USA Inc.
BC817RAZ
Nexperia USA Inc.
BC847RAZ
Nexperia USA Inc.
XC2S30-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-2X
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
5SGXEB6R2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel