codice articolo del costruttore | 2N2905 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N2905 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2905 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 3W |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2905 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2905-FT |
JANTX2N6301
Microsemi Corporation
JANTX2N6308
Microsemi Corporation
JANTX2N6383
Microsemi Corporation
JANTX2N6384
Microsemi Corporation
JANTX2N6547
Microsemi Corporation
JANTX2N6674
Microsemi Corporation
JANTX2N6676
Microsemi Corporation
JANTXV2N1893
Microsemi Corporation
JANTXV2N1893S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3418
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel