codice articolo del costruttore | 2N2812 |
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Numero di parte futuro | FT-2N2812 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N2812 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2812 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2812-FT |
2N2907
Central Semiconductor Corp
2N3053A
Central Semiconductor Corp
2N3415
Central Semiconductor Corp
2N3439
Central Semiconductor Corp
2N3700
Central Semiconductor Corp
2N3947
Central Semiconductor Corp
2N4104
Central Semiconductor Corp
2N4123
Central Semiconductor Corp
2N4918
Central Semiconductor Corp
2N5086
Central Semiconductor Corp
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel