codice articolo del costruttore | 2A8 |
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Numero di parte futuro | FT-2A8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2A8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 21V |
Frequenza - Transizione | 2GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 7dB ~ 9dB |
Potenza - Max | 5.3W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 55EU |
Pacchetto dispositivo fornitore | 55EU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2A8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2A8-FT |
MRF455
M/A-Com Technology Solutions
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
A54SX08-2TQ144
Microsemi Corporation
EPF10K10ATI144-3N
Intel
XC2VP4-5FGG256C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX08A-FG144
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3C25U256I7
Intel
XC5VFX70T-2FFG665C
Xilinx Inc.
10AX057K2F40I2SG
Intel
EP1S40F780C8N
Intel