casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 2A07GHB0G
codice articolo del costruttore | 2A07GHB0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2A07GHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
2A07GHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2A07GHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2A07GHB0G-FT |
HER152G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER153G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER154G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER155G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER156G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER157G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER158G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER201G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER202G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER203G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel