casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 25LC040AT-I/MNY
codice articolo del costruttore | 25LC040AT-I/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-25LC040AT-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC040AT-I/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC040AT-I/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 25LC040AT-I/MNY-FT |
25LC040AT-E/MNY
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25LC160DT-I/MNY
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24LC01BHT-I/MNY
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XC7S50-2FGGA484I
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A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
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10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
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LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
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5AGXFA5H4F35I3
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EP2AGX260FF35I3N
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EP4SGX70HF35C3
Intel