casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 34LC02T-E/MNY
codice articolo del costruttore | 34LC02T-E/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-34LC02T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
34LC02T-E/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 400ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.2V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
34LC02T-E/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 34LC02T-E/MNY-FT |
24AA128T-I/MNY
Microchip Technology
24LC32AT-E/MNY
Microchip Technology
25LC080DT-E/MNY
Microchip Technology
W25Q80DVZPIG
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M24256-DFMC6TG
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M24C04-RMC6TG
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M95512-DFMC6TG
STMicroelectronics
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
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XC3S1000-4FG320I
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EP3SE50F484I4N
Intel
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Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel