casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 249NQ135
codice articolo del costruttore | 249NQ135 |
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Numero di parte futuro | FT-249NQ135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
249NQ135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 135V |
Corrente: media rettificata (Io) | 240A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 240A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6mA @ 135V |
Capacità @ Vr, F | 6000pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | HALF-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
249NQ135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 249NQ135-FT |
1N6304R
Microsemi Corporation
1N6305
Microsemi Corporation
1N6305R
Microsemi Corporation
1N6306
Microsemi Corporation
1N6306R
Microsemi Corporation
1N645-1/TR
Microsemi Corporation
1N646
Microsemi Corporation
1N646-1
Microsemi Corporation
1N646UR-1
Microsemi Corporation
1N6537
Microsemi Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel