casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N645-1/TR
codice articolo del costruttore | 1N645-1/TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N645-1/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N645-1/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
Corrente: media rettificata (Io) | 400mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N645-1/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N645-1/TR-FT |
1N4446 BK
Central Semiconductor Corp
1N4448 BK
Central Semiconductor Corp
1N4449 BK
Central Semiconductor Corp
1N4458
Microsemi Corporation
1N4458R
Microsemi Corporation
1N4459
Microsemi Corporation
1N4459R
Microsemi Corporation
1N4508
Microsemi Corporation
1N4509
Microsemi Corporation
1N4511
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel