casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 23A512-E/P
codice articolo del costruttore | 23A512-E/P |
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Numero di parte futuro | FT-23A512-E/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23A512-E/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 16MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2.2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23A512-E/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23A512-E/P-FT |
93C76-E/P
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93LC76-I/P
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25LC160A-E/P
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11LC080-E/P
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23K256-E/P
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23K640-E/P
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XC6SLX100-2FG484I
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EP4S100G2F40I1N
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5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel