casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 23K256-E/P
codice articolo del costruttore | 23K256-E/P |
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Numero di parte futuro | FT-23K256-E/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23K256-E/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23K256-E/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23K256-E/P-FT |
25LC040/P
Microchip Technology
24LC256-E/P
Microchip Technology
93LC56B/P
Microchip Technology
23K640-I/P
Microchip Technology
25LC160-I/P
Microchip Technology
24FC512-I/P
Microchip Technology
24LC21/P
Microchip Technology
24AA256UID-I/P
Microchip Technology
AT88SC12816C-PU
Microchip Technology
24C65/P
Microchip Technology
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel