casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / 20CJQ100
codice articolo del costruttore | 20CJQ100 |
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Numero di parte futuro | FT-20CJQ100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
20CJQ100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20CJQ100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 20CJQ100-FT |
MBR2550CT
ON Semiconductor
MBR20150CTTU
ON Semiconductor
MBR1560CT
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MBR2560CT
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MBRP1545NTU
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FYP1010DNTU
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MBRP3045NTU
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FEP16AT
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A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
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5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
Intel