casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1SS413CT,L3F
codice articolo del costruttore | 1SS413CT,L3F |
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Numero di parte futuro | FT-1SS413CT,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1SS413CT,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 3.9pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-882 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-882 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS413CT,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1SS413CT,L3F-FT |
RGL41KHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel