casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1SS413CT,L3F
codice articolo del costruttore | 1SS413CT,L3F |
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Numero di parte futuro | FT-1SS413CT,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1SS413CT,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 3.9pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-882 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-882 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS413CT,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1SS413CT,L3F-FT |
RGL41KHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel