casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1SS355VMFHTE-17
codice articolo del costruttore | 1SS355VMFHTE-17 |
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Numero di parte futuro | FT-1SS355VMFHTE-17 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1SS355VMFHTE-17 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 500mV, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS355VMFHTE-17 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1SS355VMFHTE-17-FT |
RBR5L30ATE25
Rohm Semiconductor
RR2L4SDDTE25
Rohm Semiconductor
RR2L6SDDTE25
Rohm Semiconductor
1SR154-400TE25
Rohm Semiconductor
1SR154-400TE25A
Rohm Semiconductor
1SR154-600TE25
Rohm Semiconductor
1SR156-400TE25
Rohm Semiconductor
1SR159-200TE25
Rohm Semiconductor
RB050L-40TE25
Rohm Semiconductor
RB050L-60DDTE25
Rohm Semiconductor
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel