casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RR2L4SDDTE25
codice articolo del costruttore | RR2L4SDDTE25 |
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Numero di parte futuro | FT-RR2L4SDDTE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RR2L4SDDTE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR2L4SDDTE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR2L4SDDTE25-FT |
RBR2MM40ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60CTR
Rohm Semiconductor
RBR3MM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR3MM30ATR
Rohm Semiconductor
RBR3MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel