casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1SS307(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | 1SS307(TE85L,F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1SS307(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1SS307(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS307(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1SS307(TE85L,F)-FT |
CDBD6100-G
Comchip Technology
CDBD620-G
Comchip Technology
CDBD640-G
Comchip Technology
CDBD650-G
Comchip Technology
CDBD660-G
Comchip Technology
CDBD680-G
Comchip Technology
CSD04060E
Cree/Wolfspeed
DGS13-025CS
IXYS
DGS15-018CS
IXYS
DGS17-030CS
IXYS
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel