casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDBD660-G
codice articolo del costruttore | CDBD660-G |
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Numero di parte futuro | FT-CDBD660-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBD660-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD660-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDBD660-G-FT |
RRE04EA4DTR
Rohm Semiconductor
DSS2-60AT2
IXYS
DSS2-60AT2AP
IXYS
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
RURD660S9A-F085
ON Semiconductor
FFSD10120A
ON Semiconductor
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
CSD01060E-TR
Cree/Wolfspeed
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
FFD10UP20S
ON Semiconductor
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel