casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N916B_T50R
codice articolo del costruttore | 1N916B_T50R |
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Numero di parte futuro | FT-1N916B_T50R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N916B_T50R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N916B_T50R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N916B_T50R-FT |
FJH1101
ON Semiconductor
1N459A
ON Semiconductor
1N914BTR
ON Semiconductor
1N914-T50A
ON Semiconductor
1N458A
ON Semiconductor
BAV19TR
ON Semiconductor
1N4448TR
ON Semiconductor
1N485BTR
ON Semiconductor
1N5282TR
ON Semiconductor
1N914
ON Semiconductor
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel