casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5282TR
codice articolo del costruttore | 1N5282TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N5282TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5282TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 55V |
Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5282TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5282TR-FT |
BAS 52-02V E6433
Infineon Technologies
BAS5202VE6127XT
Infineon Technologies
BAT 54-02V E6327
Infineon Technologies
BAS2103WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT165E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS170WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS140WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS1603WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT5403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel