casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N645-1
codice articolo del costruttore | 1N645-1 |
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Numero di parte futuro | FT-1N645-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N645-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
Corrente: media rettificata (Io) | 400mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N645-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N645-1-FT |
JANTX1N5416
Microsemi Corporation
JAN1N5416
Microsemi Corporation
JAN1N5416US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5416
Microsemi Corporation
JANTX1N5194
Microsemi Corporation
JANTX1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N6628US
Microsemi Corporation
JAN1N6629US
Microsemi Corporation
JAN1N6631US
Microsemi Corporation
JANTX1N4946
Microsemi Corporation
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel