casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N645-1
codice articolo del costruttore | 1N645-1 |
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Numero di parte futuro | FT-1N645-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N645-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
Corrente: media rettificata (Io) | 400mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N645-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N645-1-FT |
JANTX1N5416
Microsemi Corporation
JAN1N5416
Microsemi Corporation
JAN1N5416US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5416
Microsemi Corporation
JANTX1N5194
Microsemi Corporation
JANTX1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N6628US
Microsemi Corporation
JAN1N6629US
Microsemi Corporation
JAN1N6631US
Microsemi Corporation
JANTX1N4946
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel