casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6628US
codice articolo del costruttore | JAN1N6628US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6628US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
JAN1N6628US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 660V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | E-MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6628US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6628US-FT |
JANTXV1N4247
Microsemi Corporation
JANTX1N4246
Microsemi Corporation
JANTX1N4247
Microsemi Corporation
JAN1N3611
Microsemi Corporation
JAN1N3957
Microsemi Corporation
JAN1N4246
Microsemi Corporation
JAN1N4248
Microsemi Corporation
JAN1N4249
Microsemi Corporation
JANTX1N3613
Microsemi Corporation
JANTX1N4249
Microsemi Corporation
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel