casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6628US
codice articolo del costruttore | JAN1N6628US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6628US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
JAN1N6628US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 660V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | E-MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6628US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6628US-FT |
JANTXV1N4247
Microsemi Corporation
JANTX1N4246
Microsemi Corporation
JANTX1N4247
Microsemi Corporation
JAN1N3611
Microsemi Corporation
JAN1N3957
Microsemi Corporation
JAN1N4246
Microsemi Corporation
JAN1N4248
Microsemi Corporation
JAN1N4249
Microsemi Corporation
JANTX1N3613
Microsemi Corporation
JANTX1N4249
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
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XC6SLX150-N3FG900C
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A3P250-1VQG100I
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A3PN250-Z1VQG100
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EP4CGX50DF27C8N
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel