codice articolo del costruttore | 1N4459 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4459 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4459 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4459 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4459-FT |
1N3910AR
Microsemi Corporation
1N3910R
Microsemi Corporation
1N3911A
Microsemi Corporation
1N3911AR
Microsemi Corporation
1N3911R
Microsemi Corporation
1N3912
Microsemi Corporation
1N3912A
Microsemi Corporation
1N3912AR
Microsemi Corporation
1N3912R
Microsemi Corporation
1N3913
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel