casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6080US
codice articolo del costruttore | 1N6080US |
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Numero di parte futuro | FT-1N6080US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6080US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 37.7A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, G |
Pacchetto dispositivo fornitore | G-MELF (D-5C) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6080US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6080US-FT |
1N4248GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4248GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4254
Microsemi Corporation
1N4255
Microsemi Corporation
1N4256
Microsemi Corporation
1N4305-1
Microsemi Corporation
1N4305-1E3
Microsemi Corporation
1N4446 BK
Central Semiconductor Corp
1N4448 BK
Central Semiconductor Corp
1N4449 BK
Central Semiconductor Corp