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Microsemi Corporation 1N6080US
- Numero parte MFG
- 1N6080US
- quantità disponibile
- 67580 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- - DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Diodi - Raddrizzatori - Singoli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- 1N6080US.pdf
1N6080US specificazioni
| codice articolo del costruttore | 1N6080US |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-1N6080US |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 1N6080US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 37.7A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SQ-MELF, G |
| Pacchetto dispositivo fornitore | G-MELF (D-5C) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 1N6080US Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | 1N6080US-FT |
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